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文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間：2023-06-07 瀏覽數(shù)量：
高溫反向偏壓試驗（High TemperatureReverseBias）,簡稱HTRB。是分立器件可靠性最重要的一個試驗項目，實驗在高溫條件下，模擬器件長時間工作狀態(tài)中的耐受能力，以此可推算出實際應用中器件的壽命和應力大小。在器件量產或使用前按照實際應用場景模擬實驗，提前摸清器件應力情況，可完全避免因應力、環(huán)境導致的失效及影響，是出廠器件必不可少的一項老化實驗。
暴露器件跟時間、應力相關的缺陷，衡量當前器件是否滿足規(guī)定的標準要求，排查出封裝或晶圓本身的質量問題。
可覆蓋車規(guī)、工規(guī)及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、 JESD 22-A108、JEDEC、 JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等相關標準要求。
可覆蓋各種半導體分立器件（二極管、三極管、MOSFET 管 （增強型、耗盡型）、達林頓管、可控硅、IGBT）進行高溫反偏試驗，適用于各種封裝。
優(yōu)科實驗室具備AEC-Q100/101/102/103/104/200標準檢測資質和檢測能力，可提供車規(guī)級集成電路、分立半導體器件、光電半導體器件、傳感器、被動元件等汽車電子元件AEC-Q檢測認證服務。我們可依據產品使用條件和質量指標，定義符合汽車電子質量要求的測試計劃，助力客戶快速進入汽車電子市場。
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