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場效應(yīng)晶體管二次篩選機構(gòu)

文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間:2023-11-13 瀏覽數(shù)量:

場效應(yīng)晶體管二次篩選機構(gòu)

元器件二次篩選是為剔除早期失效的元器件而進行的可靠性無損試驗,為提高元器件的批可靠性,元器件使用方或其委托單位在承制方篩選的基礎(chǔ)上需要進行二次篩選。

優(yōu)科檢測是專業(yè)第三方電子元器件二次篩選機構(gòu),實驗室具備場效應(yīng)晶體管CNAS檢測資質(zhì)和檢測能力,可提供場效應(yīng)晶體管二次篩選服務(wù)。


場效應(yīng)晶體管二次篩選.jpg


場效應(yīng)晶體管二次篩選依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)

GJB 33A-1997 《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》

GJB 128A-1997 《半導(dǎo)體分立器件試驗方法》

GB/T 4586-1994 《半導(dǎo)體器件 第 8 部分 場效應(yīng)晶體管》


場效應(yīng)晶體管二次篩選項目

1. 內(nèi)部目檢;

2. 溫度循環(huán);

3. 恒定加速度;

4. PIND;

5. 編序列號;

6. 初始電參數(shù)測試;

7. 老練;

8. 終點電參數(shù)測試;

9. 計算變化量;

10. 計算PD;

11. PDA;

12. 密封試驗(細檢漏、粗檢漏);

13. X射線照相檢驗;

14. 外觀檢查。


場效應(yīng)晶體管電參數(shù)測試項目

1. 柵源短路時柵極漏電流Igss

2. 漏極電流Id(on)

3. 漏-源短路漏極電流Idss

4. 漏-源擊穿電壓Bydss

5. 柵極閾值電壓Vgs (th)

6. 正向跨導(dǎo)ggs(Vgs)

7. 靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻Rds(on)


場效應(yīng)晶體管二次篩選機構(gòu)


電子元器件二次篩選流程

1. 收樣、標(biāo)識、入庫、入系統(tǒng);

2. 目檢;

3. 電參數(shù)測試:按照產(chǎn)品規(guī)格書電性能或電氣性能測試;

4. 老練篩選:高溫、反偏、功率等;

5. 環(huán)境應(yīng)力測試:振動、沖擊、離心加速度、溫度循環(huán);

6. 密封性檢查:粗細檢漏、PIND;

7. 三溫電參數(shù)測試:按照產(chǎn)品規(guī)格書電性能或電氣性能測試

6. 打點、封裝、出庫。


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